特許

J-GLOBAL ID：200903073685758000

面型発光素子の製造方法

発明者： 小濱 剛孝 ,  川上 剛司 ,  門田 好晃
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-094952
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267779
出願日： 1992年03月23日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】 高反射を維持し、かつ極めて低抵抗素子を実現可能とする。【構成】 n型GaAs結晶基板11上にAlXGa1-XAs/AlYGa1-YAsからなるn型光反射層12およびp型反射層16により活性層(13,14,15)が挟まれた面型発光素子を製造する際に光反射層12,16中の組成比XおよびYが有機金属気相成長法によってp型反射層16に対して0.6≦X≦0.7であり、かつn型光反射層12に対しては0.7≦X≦1の範囲で形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主面上にAl<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>As/Al<SB>Y</SB>Ga<SB>1-Y</SB>As(X>Y,0<X≦1)からなるp型およびn型半導体光反射層により活性層が挟まれた面型発光素子の製造方法において、前記半導体光反射層中の組成比XおよびYが有機金属気相成長法によってp型半導体光反射層に対して0.6≦X≦0.7であり、かつn型半導体光反射層に対しては0.7≦X≦1の範囲で形成することを特徴とする面型発光素子の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平1-316987