特許

J-GLOBAL ID：200903073686209647

半導体装置

発明者： 仲矢 実
出願人/特許権者： 横河電機株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 正康 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-126337
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321605
出願日： 1995年05月25日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：

【要約】【目的】 シリサイド膜の金属がエッチング装置の汚染をすることなく、ポリシリコン窓を小さくすることができるを目的にする。【構成】 本発明は、ベース層とソース層とからなる2重拡散層により形成される縦型2重拡散MOS形FETが設けられる半導体装置に改良を加えたものである。本装置は、ソース層を貫通してベース層に達するように形成される溝を有し、この溝にソース電極からの電圧を与えることを特徴とする装置である。

請求項（抜粋）：

ベース層とソース層とからなる2重拡散層により形成される縦型2重拡散MOS形FETが設けられる半導体装置において、前記ソース層を貫通して前記ベース層に達するように形成される溝を有し、この溝にソース電極からの電圧を与えることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301

FI (4件)：

H01L 29/78 652 M ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 29/78 652 B