特許

J-GLOBAL ID：200903073688813010

半導体デバイスの製造方法及びそれを用いた投影露光装置

発明者： 野口 美代子
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 高梨 幸雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-225223
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047627
出願日： 1991年08月09日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 パターン形状の方向や線幅等により照明方法を変えたときの投影光学系の光学性能の変化を照明方法に応じて適切に計算し、高解像度の投影露光が可能な半導体デバイスの製造方法及びそれを用いた投影露光装置を得ること。【構成】 計算手段54はレチクル30の照明方法を絞り形状調整部材18を駆動させる駆動手段50からの信号に基づいて検出している。そして計算手段54は照明方法に最も適したピント変化係数や時定数等のパラメータを選択し、又は各種パラメータのうち少なくとも1つのパラメータの値を変更する等して、投影光学系31のピント位置の変動や投影倍率等の光学性能の変化を計算している。そして例えばピント位置の変動を補正するときは駆動手段55が計算手段54からの信号に基づいてステージ34を光軸31b方向に駆動させる。

請求項（抜粋）：

放射ビームで2次光源を形成し、該2次光源からの2次ビームにより原板の回路パターンを照明し、投影光学系により該2次ビームで照明された回路パターンの像を感応性基板の第1、第2部分上に順次投影-転写する際、該感応性基板の第1部分上への該回路パターン像の投影により前記投影光学系に生じる焦点位置と投影倍率の少なくとも一方の光学特性の変化を計算し、該光学特性の変化を補償して該感応性基板の第2部分上へ該回路パターン像を投影し、半導体デバイスを製造する際、前記2次光源の形状の変更に応じて、前記光学特性の変化を計算する為の各種のパラメーターの少なくとも一部の値を変更して計算することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 311 L ,  H01L 21/30 311 N