スイッチング回路装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-020839
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279613
出願日： 1996年02月07日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】【課題】スイッチング電源やブリッジ回路において電流の断続に用いられるスイッチング素子のオン抵抗を減少させて電力損失を低減する。【解決手段】チップ30の表面から狭い間隔で掘り込んだ複数個の溝40にごく薄い絶縁膜41を介しゲート42を埋め込み、チップ30の表面と裏面に導電接触する電極膜43と44からそれぞれソース端子Sとドレイン端子Dを導出したnチャネル電界効果トランジスタ20をスイッチング素子として用い、スイッチング指令Ssをそのゲート端子Gに与えてオンさせたとき絶縁膜41を介してゲート42と対向する溝40の側面のチャネル形成層33の表面部分に縦方向に電荷蓄積性や電荷反転性のn形チャネルを低いオン抵抗で導通させる。

請求項（抜粋）：

チップ表面から狭い間隔で掘り込まれた複数個の溝と,各溝の中に薄い絶縁膜を介して埋め込まれたゲートと,チップの表面と裏面にそれぞれ導電接触する1対の電極膜とを備え、両電極膜から1対の主端子を,ゲートからゲート端子をそれぞれ導出してなる縦形のnチャネル形電界効果トランジスタのゲート端子にスイッチング指令を与えて主端子間に流れる電流をオンオフさせるようにしたことを特徴とするスイッチング回路装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H02M 3/155 , H02M 7/219 , H03K 17/06

FI (5件)：

H01L 29/78 653 C , H02M 3/155 S , H02M 7/219 , H03K 17/06 C , H01L 29/78 658 G

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