特許

J-GLOBAL ID：200903073693202348

高純度誘電体薄膜

発明者： 小木 勝実 ,  曽山 信幸 ,  善 英喜
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 広瀬 章一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-024293
公開番号（公開出願番号）：特開平7-310176
出願日： 1992年01月16日
公開日（公表日）： 1995年11月28日
要約：

【要約】【目的】 高純度誘電体薄膜の提供【構成】 一般式 PbAO3(式中、AはMg,Ba,Sr,Ca,Ta,Nb,Co,Fe,Ni,W,Zn,Cdから選ばれる1種または2種以上の金属元素)で表わされるペロブスカイト型鉛含有化合物からなり、そのアルカリ金属不純物の含有量が1ppm以下であることを特徴とする誘電体薄膜。【効果】 上記誘電体薄膜は従来問題であったリーク電流が大幅に減少し、優れた誘電特性を示す。また膜の部位による特性変化が極めて少ない安定な膜が得られ、エレクトロニクスの分野等において広く用いることができる。

請求項（抜粋）：

一般式 PbAO3(式中、AはMg,Ba,Sr,Ca,Ta,Nb,Co,Fe,Ni,W,Zn,Cdから選ばれる1種または2種以上の金属元素)で表わされるペロブスカイト型鉛含有化合物からなり、そのアルカリ金属不純物の含有量が1ppm以下であることを特徴とする誘電体薄膜。

IPC (4件)：

C23C 14/08 ,  C01G 21/00 ,  C23C 16/40 ,  C23C 30/00