特許

J-GLOBAL ID：200903073696747000

半導体記憶装置

発明者： 鈴木 東
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-178464
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045277
出願日： 1994年07月29日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】この発明は、同期型のSRAMにおいてレイトライト方式を実現できる半導体記憶装置を提供することを目的とする。【構成】この発明は、クロック信号に同期して読み出し動作又は書き込み動作に係わらずアドレス信号を取り込み保持する第1のアドレスレジスタ101の他に設けられた第2のアドレスレジスタ2に書き込みアドレスを保持し、この保持された書き込みアドレスをアドレス選択回路3により選択して入力データレジスタ104に保持されたデータを書き込むように構成されてなる。

請求項（抜粋）：

クロック信号に同期してアクセス動作を行い、書き込みアドレスを確定させた次の書き込みサイクルでデータを書き込むレイトライト書き込み方式を有するスタティック型ランダム・アクセス・メモリの半導体記憶装置であって、クロック信号に同期してアドレス信号を取り込み保持出力する第1のアドレス保持回路と、第1のアドレス保持回路に保持されたアドレス信号の内、書き込みアドレス信号をクロック信号に同期して取り込み保持出力する第2のアドレス保持回路と、アクセスセルに供給されるアドレス信号として第1のアドレス保持回路に保持された第1のアドレス信号又は第2のアドレス保持回路に保持された第2のアドレス信号を選択するアドレス選択回路と、書き込みデータを取り込み保持出力するデータ保持回路と、第1のアドレス信号と第2のアドレス信号を比較する比較回路と、比較回路の比較結果において、第1のアドレス信号と第2のアドレス信号が一致した場合にはデータ保持回路に保持された書き込みデータを選択し、第1のアドレス信号と第2のアドレス信号が不一致の場合にはアクセスセルから読み出された読み出しデータを選択して、選択したデータを出力データとする出力データ選択回路とを有することを特徴とする半導体記憶装置。