特許
J-GLOBAL ID：200903073701876264
駆動用半導体集積回路装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-013711
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213947
出願日： 1996年01月30日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：
【要約】【課題】 二重拡散型MOSの構成回路において、寄生トランジスタの導通によるリーク電流が流れることを防ぐ駆動用半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】 二重拡散型MOSトランジスタのn+型ソース領域7及びn+型ドレイン領域6とp+型分離領域4との間に、これらソース領域7及びドレイン領域6の周囲を囲む形で、高濃度のn型拡散層10を設け、かつドレイン領域6を高濃度拡散層とした。これにより、寄生トランジスタのhFEが下がって、リーク電流による無駄な電力消費が抑制され、かつ、リーク電流によるp型基板1の電位の上昇が抑制されるので、回路の誤動作が防止される。
請求項（抜粋）：
二重拡散型MOSトランジスタのソース領域及びドレイン領域と分離領域との間に、前記ソース領域及びドレイン領域の周囲を囲む形で、高濃度n型拡散層を設け、前記ドレイン領域をn型拡散層にしたことを特徴とする駆動用半導体集積回路装置。
FI (3件)：
H01L 29/78 301 W
, H01L 29/78 301 S
, H01L 29/78 301 E
