特許
J-GLOBAL ID：200903073702261875
平板光学素子基板の変形矯正方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大野 精市
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-181402
公開番号（公開出願番号）：特開平7-035904
出願日： 1993年07月22日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：
【要約】【目的】 平板状のガラス基板内にイオン拡散により、多数の微小レンズや光導波路等の光学素子を一体成形した平板光学素子に関し、特に厚みの薄い基板中に、前記光学素子を形成する場合における基板の変形を矯正する方法を提供する。【構成】 イオン拡散時にイオン半径の差のために基板に発生した変形応力を、少なくとも基板の裏面側のイオン拡散層をエッチング法により除去することによって、適宜解放させて、基板の反りが十分に小さい高平坦度の薄板の平板光学素子を得る。
請求項（抜粋）：
略平行で平坦な表裏面を有するアルカリガラス基板(1)の表面のみを、所定の光学素子パターンの開口部分(7)を設けたイオン拡散を妨げるマスク膜(7)で被覆し、前記基板材料の屈折率に変化を与えるイオンを含む溶融塩(8)に前記基板(1)を浸漬し、前記開口部を通じて前記イオンを拡散させることにより、前記基板の片面側に光学素子部分(2)を形成する平板光学素子の製造方法において、前記素子形成と同時に、前記素子形成面と反対側の裏面から、前記イオンと同一のイオンを前記基板の裏面のほぼ全面にわたり拡散させ、一様な厚みのイオン拡散層(3)を形成し、さらに、前記イオン拡散処理後、少なくとも前記基板の裏面側の前記イオン拡散層(3)をエッチング法によって除去し、前記イオン拡散処理時において基板に残留した変形応力を低減させることによって、基板の変形を矯正するようにしたことを特徴とする平板光学素子基板の変形矯正方法。
IPC (2件)：
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