半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-202360
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050989
出願日： 1996年07月31日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】従来のせり上げ層を有するトランジスタは不純物の増速拡散によってPN接合の深さのバラツキが大きく、これを防ぐために炭素をイオン注入すると接合リーク電流が大きくなっていた。【解決手段】半導体基板1Aのソース、ドレイン等の不純物領域形成予定領域上に炭素などの半導体基板内の点欠陥と結びつきやすい物質または窒素などの導電性を与える不純物の拡散を妨げる物質もしくは両者を含むシリコンの選択成長層(せり上げ層)6Bを形成し、導電型決定不純物を選択成長層(せり上げ層)内にイオン注入を行い、熱処理によって導電型決定不純物を活性化すると共に半導体基板内に拡散せしめてソース、ドレイン領域9等の不純物領域を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板のソース、ドレイン等の不純物領域形成予定領域上に半導体基板内の点欠陥と結びつきやすい物質または導電性を与える不純物の拡散を妨げる物質もしくは両物質を含むシリコンの選択成長層を形成する工程と、該選択成長層に導電型決定不純物をイオン注入する工程と、熱処理によって前記導電型決定不純物を活性化すると共に前記半導体基板内に拡散せしめてソース、ドレイン領域等の不純物領域を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/225 , H01L 21/265 , H01L 21/28 301

FI (4件)：

H01L 29/78 301 P , H01L 21/225 P , H01L 21/28 301 T , H01L 21/265 A

前のページに戻る