特許

J-GLOBAL ID：200903073714092181

半導体装置の製造方法

発明者： 廣田 俊幸 ,  渡辺 啓仁 ,  相宗 史記 ,  藤原 秀二 ,  善家 昌伸
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-125698
公開番号（公開出願番号）：特開平9-312379
出願日： 1996年05月21日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：

【要約】【課題】 アモルファスシリコン上に、半球状シリコン粒子を形成する核付法により形成する際、アモルファスシリコン中に、下部に位置する層間絶縁膜の界面から生じる結晶化の現象を抑制する方法を提供することである。【解決手段】 アモルファスシリコンの上面及び側面に対して、まず、シリコンを含有するSiH4等のガスを照射して、アモルファスシリコン上に核を形成する際の定常温度を当該アモルファスシリコンをアニールして半球状シリコン粒子を形成する際の温度よりも、低くすることにより、層間絶縁膜からアモルファスシリコン中へ結晶が成長するのを抑制する。核形成の際の定常温度は、アニール温度に比較して5〜20°C、好ましくは、5〜10°C低い温度に設定する。

請求項（抜粋）：

アモルファスシリコンを熱処理すると共に、半球状粒子の核となる材料を照射して、前記核を形成する工程と、前記核を形成されたアモルファスシリコンをアニールして、前記半球状粒子を形成する工程とを備え、前記核を形成する工程における温度を前記アニールする工程におけるアニール温度よりも低くすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/04 C