特許
J-GLOBAL ID：200903073742060546
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-228572
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086397
出願日： 1993年09月14日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【目的】 アルミニウム合金膜でコンタクト窓の埋め込みを行い、高い信頼性の配線層を形成する。【構成】 半導体基板1上に形成した層間絶縁膜2を、ホトレジストをマスクにしてエッチングし、コンタクト窓3を形成する。次に、その上にスパッタ法を用いてTi膜4を20nmの厚さに被着形成する。続いて、さらにその上に、スパッタ法を用いてTiN膜5を100nm被着する。続いて、Ti膜6をスパッタ法を用いて10nmの厚さに被着形成する。次に、半導体基板を550°Cに加熱して、スパッタ法を用いて、コンタクト窓3を埋め込みながらアルミニウム合金膜7を約800nmの厚さに被着形成して、アルミニウム合金膜による埋め込みを完了する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁膜を被着する工程と、前記絶縁膜にコンタクト窓を形成する工程と、前記絶縁膜上および前記コンタクト窓部分に露出した半導体基板上に第1の高融点金属膜を被着する工程と、前記第1の高融点金属膜上に第2の高融点金属膜を被着する工程と、前記第2の高融点金属膜上に第3の高融点金属膜を被着する工程と、前記第3の高融点金属膜上にアルミニウム合金を主体とした配線層を形成し、上記コンタクト窓を埋め込む工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/768
, H01L 21/28 301
, H01L 21/285
, H01L 21/3205
H01L 21/90 D
, H01L 21/88 N
, H01L 21/88 R
