特許
J-GLOBAL ID:200903073745928008

透明導電膜、低反射帯電防止膜およびこれらの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 泉名 謙治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-309337
公開番号(公開出願番号):特開平6-139822
出願日: 1992年10月23日
公開日(公表日): 1994年05月20日
要約:
【要約】【構成】SbをドープしたSnO2 微粒子あるいはSnをドープしたIn2 O3微粒子の少なくとも1種を全固形分量に対し、酸化物換算で50〜95重量%、粒径800Å以下のTiO2 微粒子を全固形分量に対し酸化物換算で1〜40重量%含む溶液を基体上に塗布した後、加熱かつ/または紫外線を照射する。【効果】高強度、高屈折率を有する低抵抗透明導電膜を提供できる。
請求項(抜粋):
SbをドープしたSnO2 微粒子あるいはSnをドープしたIn2 O3 微粒子の少なくとも1種を全固形分量に対し、酸化物換算で50〜95重量%、粒径800Å以下のTiO2 微粒子を全固形分量に対し酸化物換算で1〜40重量%含む溶液を基体上に塗布した後、加熱かつ/または紫外線を照射することにより得られることを特徴とする透明導電膜。
IPC (3件):
H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503 ,  H01J 9/20

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