特許

J-GLOBAL ID：200903073746710316

半導体装置及びその製造方法

発明者： 志賀 俊彦 ,  服部 亮 ,  奥 友希
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-154642
公開番号（公開出願番号）：特開平7-030095
出願日： 1993年06月25日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：

【要約】【目的】 加熱により両者の接続部において金属間化合物を形成する,互いに異なる金属からなる電極と配線が、加熱しても両者の接続部に金属間化合物が形成されないように接続された半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 GaAs基板1上にAu電極4aと、該Au電極4aを覆うように絶縁膜7を形成し、該絶縁膜2にその底部に上記Au電極4aの表面が露出するコンタクトホール7aを形成し、上記露出したAu電極4aの表面,コンタクトホール7aの内周面及び上記絶縁膜7上に反応性スパッタによりWSiN膜8を形成し、上記WSiN膜8上に配線用のAl膜9を形成し、この後、WSiN膜8とAl膜9を所定パターンにパターニングする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にて、電極と、該電極とは異なる金属からなる配線とを接続してなる半導体装置において、上記電極及び上記配線の何れに接触して加熱されてもこれらとの間で固相拡散が起こらないバリアメタル層を介して、上記電極と配線とが接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/43 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 29/46 R ,  H01L 21/90 D