特許
J-GLOBAL ID：200903073747797687
堆積膜形成法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-165883
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013598
出願日： 1991年07月05日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：
【要約】【目的】 ステップカバレッジに優れた良質の配線となる導電性堆積膜を形成する。【構成】 電子供与性の表面90と非電子供与性91の表面とを備えた基体に電子供与性の表面を水素原子で終端させるための化学的表面処理を施した後、堆積膜形成用の空間に基体を配し加熱する工程と、アルキルアルミニウムハイドライドのガスと水素ガスとを堆積膜形成用の空間に導入して電子供与性の表面にのみアルミニウムを主成分とする膜92を堆積する第1の堆積工程と、水素ガスを不活性ガスにかえ、堆積したアルミニウムを主成分とする膜および非電子供与性の表面の全面にアルミニウムを主成分とする膜を堆積する第2の堆積工程とを有する。
請求項（抜粋）：
電子供与性の表面と非電子供与性の表面とを備えた基体に該電子供与性の表面を水素原子で終端させる為の化学的表面処理を施した後、堆積膜形成用の空間に該基体を配し加熱する工程と、アルキルアルミニウムハイドライドのガスと水素ガスとを該堆積膜形成用の空間に導入して前記電子供与性の表面にのみアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする膜を堆積する第1の堆積工程と、前記水素ガスを不活性ガスにかえ、前記堆積したアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする膜および前記非電子供与性の表面の全面にアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする膜を堆積する第2の堆積工程とを有することを特徴とする堆積膜形成法。
IPC (3件)：
H01L 21/90
, H01L 21/285
, H01L 21/285 301
