特許
J-GLOBAL ID：200903073749932042
レジストパターンの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
米澤 明 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-232006
公開番号（公開出願番号）：特開平5-072741
出願日： 1991年09月11日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】 レジストパターンの断面形状の任意に調整可能とする。【構成】 半導体ウエハ、フォトマスクなどの基板を処理し、レジストの官能基と結合する結合性基を基板面に形成し、結合性基と結合するレジストの官能基の割合を調整したレジストの塗布膜を設けたもので、基板とレジストとの相互作用の程度を調節し、レジストの断面形状を任意に変えることが可能となり、とくに微細な加工で要求される裾の部分での広がりあるいは食い込みのない断面形状の優れたレジストパターンを得ることができる。
請求項（抜粋）：
基板上にリソグラフィーのためのレジストパターンを形成する方法において、レジストの官能基と結合する結合性基を基板面に形成し、基板面に成膜するレジストの該官能基の割合を変えることによりレジストの断面形状および密着性を調整することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (4件)：
G03F 7/11 503
, G03F 7/038 505
, G03F 7/26 513
, H01L 21/027
