特許
J-GLOBAL ID：200903073750989694
半導体圧力センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-288513
公開番号（公開出願番号）：特開平9-133594
出願日： 1995年11月07日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：
【要約】【課題】 寄生容量、外界の電界の影響を受けにくく、正確な圧力検出を行うことのでき、かつ小型、低コストの半導体圧力センサを提供することである。【解決手段】 被測定圧力により変形するダイアフラム部2を有するシリコン基板1と固定電極4を有するガラス基板3とが接合されて形成されたセンサチップ6と、貫通孔12を有するキャップ部13及びメッキにより金属付着された領域をもつ台座19とで構成されている。センサチップ6及びICチップ20を台座19の金属付着された領域に設置する。
請求項（抜粋）：
被測定圧力により変形するダイアフラム部を備えたシリコン基板を有する検出素子部と、圧力流入貫通孔を有する上側外ケースと、メッキにより配線パターンを形成し、金属付着された領域をもつ下側外ケースと、電子部品とで構成された半導体圧力センサにおいて、前記検出素子部及び該検出素子部を検出する検出回路をIC化したICチップを前記下側外ケースの金属付着された領域に設置することを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (2件)：
G01L 9/04 101
, H01L 29/84
G01L 9/04 101
, H01L 29/84 Z
