特許

J-GLOBAL ID：200903073756127520

回路基板及びその製造方法

発明者： 小田 勉
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-396719
公開番号（公開出願番号）：特開2002-198660
出願日： 2000年12月27日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
要約：

【要約】【課題】多層回路基板への半導体部品の搭載において、半導体部品からの発熱をサーマルビアホールなどの熱伝導部材に効率良く伝導させて放熱させることができ、かつ基板の反りも抑制した回路基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁基板1の内部に、該絶縁基板1の厚みを貫くサーマルビアホール8を複数配置した回路基板10である。そして、サーマルビアホール8はAgを主成分とし、そのペーストは、平均粒径が5μm以上であるAg粉末と、平均粒径が1μm以下であるAg粉末を含有するものを用いた。

請求項（抜粋）：

絶縁基板の内部に、該絶縁基板の厚みを貫く、Agを主成分とするサーマルビアホールを複数配置した回路基板であって、前記サーマルビアホールの熱伝導率が150W/m・K以上であることを特徴とする回路基板。

IPC (3件)：

H05K 3/46 ,  H01L 23/12 ,  H05K 1/02

FI (7件)：

H05K 3/46 U ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 Q ,  H05K 3/46 S ,  H05K 1/02 F ,  H01L 23/12 J ,  H01L 23/12 D

Fターム (38件)：

5E338AA02 ,  5E338AA03 ,  5E338AA18 ,  5E338BB05 ,  5E338BB13 ,  5E338BB25 ,  5E338BB71 ,  5E338CC01 ,  5E338CC08 ,  5E338CD11 ,  5E338EE02 ,  5E346AA02 ,  5E346AA04 ,  5E346AA12 ,  5E346AA13 ,  5E346AA15 ,  5E346AA29 ,  5E346AA32 ,  5E346AA33 ,  5E346AA36 ,  5E346AA43 ,  5E346BB20 ,  5E346CC18 ,  5E346CC21 ,  5E346CC38 ,  5E346CC39 ,  5E346CC40 ,  5E346EE22 ,  5E346EE25 ,  5E346EE29 ,  5E346FF01 ,  5E346FF18 ,  5E346FF27 ,  5E346FF45 ,  5E346GG04 ,  5E346GG06 ,  5E346GG28 ,  5E346HH17