特許

J-GLOBAL ID：200903073766377842

高周波電流のおよび広帯域電流の増幅法

発明者： ジェームズ・クビネック
出願人/特許権者： アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-000980
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283659
出願日： 1995年01月09日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】 金属酸化物シリコン電界効果トランジスタ(MOSFET)を用いて高周波電流信号の増幅を行なうことにより、電磁スペクトルの無線周波数(RF)レンジにおける電流信号の増幅を行ない、寄生容量の効果を最小限にすることを可能にする。【構成】 増幅段に配置された複数のMOSFETに電流信号が与えられ、入力電流信号の増幅は、採用されたMOSFETのチャネル幅の割合により決定される。N導電型およびP導電型の装置で構成される交互の増幅段(502、504、506)が用いられる。信号の増幅は、MOSFET内のチャネル幅と、採用される電流信号増幅段の数により正確に制御される。出力信号は、抵抗またはリアクタンスの源に結合することにより、電圧信号に変換され得る。

請求項（抜粋）：

金属酸化物シリコン電界効果トランジスタ(MOSFET)を用いて高周波の電流を増幅する方法であって、第1のチャネル幅を有する第1の金属酸化物シリコン電界効果トランジスタ(MOSFET)を通して、高周波の電流信号を、前記第1のMOSFETの第1の電極線から第2の電極線へ送り、前記第1のMOSFETの前記第1の電極線を、(i)前記第1のMOSFETの制御電極線および(ii)第2のチャネル幅を有する第2のMOSFETの制御電極線に結合するステップと、前記第1および第2のMOSFETの第2の電極線を、予め定められた基準電圧に結合するステップとを含み、前記第1および第2のチャネル幅の関係により、前記第2のMOSFETの第1の電極線の前記高周波の電流信号の予め定められた増幅がもたらされる、高周波の電流を増幅する方法。

IPC (4件)：

H03F 1/42 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H03F 3/193