特許

J-GLOBAL ID：200903073767955831

半導体装置及びその製造方法

発明者： 伊藤 茂康
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 岡▲崎▼ 信太郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-039780
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332155
出願日： 2000年02月14日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の製造を効率化するとともに、半導体チップの高密度化及び薄型化を実現することができる半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 基板11と、集積回路が形成されており、一端面側に前記基板11が接合され、他端面側12bに外部と電気的に接続する電極部12cを有する半導体チップ12と、前記半導体チップ12の側面及び他端面側12bに形成されていて、前記半導体チップ12の前記電極部12cが形成されている部位に開口部18を有する封止層13と、前記半導体チップ12の前記電極部12cと電気的に接続するため、前記開口部18及び前記封止層13に積層される配線層14とを有する。

請求項（抜粋）：

基板と、集積回路が形成されており、一端面側が前記基板に接合され、他端面側に外部と電気的に接続する電極部を有する半導体チップと、前記半導体チップを封止するため、前記半導体チップの側面及び他端面側に形成されて、前記半導体チップの前記電極部が形成されている部位に開口部を有する封止層と、前記半導体チップの前記電極部と電気的に接続するため、前記開口部及び前記封止層に積層される配線層とを有する半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (3件)：

H01L 23/12 J ,  H01L 23/12 F ,  H01L 23/30 B

Fターム (7件)：

4M109AA02 ,  4M109BA03 ,  4M109DB02 ,  4M109DB15 ,  4M109EA15 ,  4M109EE05 ,  4M109GA05