特許

J-GLOBAL ID：200903073769899416

膜状希土類磁石の製造方法

発明者： 本蔵 義信 ,  三嶋 千里 ,  水谷 宇一郎
出願人/特許権者： 愛知製鋼株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-269850
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106179
出願日： 1993年09月30日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【目的】膜厚が数百μm程度でかつ高磁気特性を有する膜状希土類磁石の製造方法を提供する。【構成】スパッタリング装置を用いて基板に膜厚50〜250μmのアモルファス膜を形成し、次いで当該膜を600〜900°Cにて2〜10分間保持して結晶化処理を施す。

請求項（抜粋）：

膜状希土類磁石の製造方法において、スパッタリング装置にて基板の温度を0〜100°Cに保持した状態で膜厚50〜200μmのアモルファス膜を生成し、次いで、当該膜を温度600〜900°Cにて2〜10分間保持する熱処理を行なうことにより結晶化させることを特徴とする膜状希土類磁石の製造方法。

IPC (4件)：

H01F 41/18 ,  C23C 14/14 ,  H01F 1/053 ,  H01F 10/12