半導体エネルギー線検出素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：長谷川芳樹 , 寺崎史朗 , 石田悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-348583
公開番号（公開出願番号）：特開2005-116754
出願日： 2003年10月07日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：

【課題】低ノイズ化を図ることが可能な半導体エネルギー線検出素子を提供すること。【解決手段】半導体エネルギー線検出素子1は、エネルギー線感応領域11と出力部21とを有する。エネルギー線感応領域11は、エネルギー線の入射に感応して電荷を発生する。エネルギー線感応領域11の表面側には、当該エネルギー線感応領域11を覆うように、複数の電極15が設置されている。各々の電極15は分圧抵抗17により電気的に接続されている。この分圧抵抗17は、各電極15に対応して設けられており、直流電源19からの直流出力電圧を分圧して直流出力電位を生成し、当該直流出力電位を対応する電極15に与えている。出力部21は、エネルギー線感応領域11内で発生した電荷を蓄積し、蓄積した電荷を電圧に変換して出力する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面側に形成され、エネルギー線の入射に応じて電荷を発生するエネルギー線感応領域と、前記エネルギー線感応領域内で発生した前記電荷を蓄積し、蓄積した電荷を変換して出力する出力部と、前記エネルギー線感応領域に対応して複数並設され、前記エネルギー線感応領域内で発生した前記電荷を前記出力部に向けて送るための電極と、前記電極に対応して設けられ、直流電源からの直流出力電圧を分圧して直流出力電位を生成し、当該直流出力電位を対応する前記電極に与える分圧抵抗と、を備えたことを特徴とする半導体エネルギー線検出素子。

IPC (2件)：

H01L31/10 , H01L27/14

FI (2件)：

H01L31/10 A , H01L27/14 K

Fターム (15件)：

4M118AA05 , 4M118BA02 , 4M118CA03 , 4M118DD04 , 4M118GA10 , 5F049MA02 , 5F049MB03 , 5F049NA04 , 5F049RA08 , 5F049RA10 , 5F049SS03 , 5F049WA01 , 5F049WA03 , 5F049WA05 , 5F049WA07

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体光検出素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-137755 出願人：浜松ホトニクス株式会社

審査官引用 (9件)

特開昭55-165687
特開昭53-027382
特開昭57-105893

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