特許

J-GLOBAL ID：200903073770542955

半導体装置

発明者： 坂本 和久
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-387465
公開番号（公開出願番号）：特開2002-064106
出願日： 2000年12月20日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：

【要約】【課題】 高耐圧で、かつ、消費電力の低滅を図ることができ、高速なスイッチングが可能で、大電流が得られるトランジスタを有する半導体装置を提供すると共に、デジタルトランジスタのように、所望の駆動電圧を設定しながら、負荷容量の小さい電圧駆動型バイポーラトランジスタを提供する。【解決手段】 コレクタ領域とするn形半導体層21の表面に、p形領域からなるベース領域22が形成されており、このp形ベース領域22内にn+形領域からなるエミッタ領域23が形成されている。さらに、ベース領域22にn+形領域からなるベース電極接続部24が設けられ、そのベース電極接続部24の表面にベース電極26が、エミッタ領域23およびコレクタ領域21にそれぞれ電気的に接続してエミッタ電極27およびコレクタ電極28が設けられている。

請求項（抜粋）：

コレクタ領域とする第1導電形半導体層と、該第1導電形半導体層に設けられる第2導電形領域からなるベース領域と、該ベース領域内に設けられる第1導電形領域からなるエミッタ領域と、前記ベース領域に設けられる第1導電形領域からなるベース電極接続部と、該ベース電極接続部の表面に設けられるベース電極と、前記エミッタ領域および前記コレクタ領域にそれぞれ電気的に接続して設けられるエミッタ電極およびコレクタ電極とを含むバイポーラトランジスタ構造を有する半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8222 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/861

FI (4件)：

H01L 29/72 ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/06 101 D ,  H01L 29/91 L

Fターム (22件)：

5F003BB02 ,  5F003BF02 ,  5F003BH02 ,  5F003BJ12 ,  5F003BJ99 ,  5F038AV04 ,  5F038AV06 ,  5F038BH05 ,  5F038BH06 ,  5F038BH07 ,  5F038BH15 ,  5F038DF08 ,  5F038EZ20 ,  5F082AA02 ,  5F082AA10 ,  5F082BA26 ,  5F082BA33 ,  5F082BC01 ,  5F082BC09 ,  5F082BC11 ,  5F082DA02 ,  5F082DA03