特許
J-GLOBAL ID：200903073771479440
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-328199
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175364
出願日： 1991年11月15日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】 (修正有)【構成】 下記の(A)〜(C)成分を含むエポキシ樹脂組成物によつて半導体素子を樹脂封止する。この際、上記(C)成分の含有量がエポキシ樹脂組成物中の80〜95重量%に設定され、しかも(C)成分が、ワーデルの球形度で0.7〜1.0の球形度を有する球状の無機質充填剤を80重量%以上含有し、特定の粒度構成に設定されている。(A)下記の一般式(1)で表されるエポキシ樹脂。〔式中、R1〜R4は炭素数1〜4のアルキル基であつて、互いに同じであつても異つていてもよい。〕(B)下記の一般式(2)で表されるフエノールアラルキル樹脂。〔式中、nは0または正の整数である。〕(C)無機質充填剤。【効果】 半田実装時のパツケージクラツクの発生が抑制され、しかも優れた耐湿信頼性を備えている。
請求項（抜粋）：
下記の(A)〜(C)成分を含むエポキシ樹脂組成物によつて半導体素子を封止してなる半導体装置において、上記(C)成分である無機質充填剤の含有量がエポキシ樹脂組成物中の80〜95重量%に設定され、しかも(C)成分である無機質充填剤が、ワーデルの球形度で0.7〜1.0の球形度を有する球状の無機質充填剤を80重量%以上含有し、全体の粒度構成が下記の(a)〜(f)に設定されていることを特徴とする半導体装置。(A)下記の一般式(1)で表されるエポキシ樹脂。【化1】(B)下記の一般式(2)で表されるフエノールアラルキル樹脂。【化2】(C)無機質充填剤。(a)粒径1μm未満のものが3重量%未満。(b)粒径1μm以上6μm以下のものが10〜22重量%。(c)粒径7μm以上30μm以下のものが10〜24重量%。(d)粒径31μm以上60μm以下のものが20〜40重量%。(e)粒径61μm以上90μm以下のものが20〜40重量%。(f)粒径91μm以上のものが10重量%未満。
IPC (6件)：
H01L 23/29
, H01L 23/31
, C08G 59/20 NHQ
, C08G 59/62 NJR
, C08K 7/18 NLD
, C08L 63/00
