特許

J-GLOBAL ID：200903073773851711

薄膜形成方法及び薄膜形成装置

発明者： 西川 和宏 ,  筒井 裕二 ,  中 裕之
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-189018
公開番号（公開出願番号）：特開2001-011653
出願日： 1999年07月02日
公開日（公表日）： 2001年01月16日
要約：

【要約】【課題】 薄膜形成装置に順次搬送されてくる大面積の基板に対し、均一な薄膜を、再現性よく高効率で形成するための薄膜形成方法及び薄膜形成装置を提供する。【解決手殿】 原料溶液を微粒子化し、基板上に吹き付けて薄膜を形成する薄膜形成方法において、微粒子化された原料溶液の量をモニタしながら超音波振動子の振動数を制御し、基板上に吹き付けられる原料溶液を一定に維持する。また、成膜を行うに当たり、基板を回転させながら成膜する。更に、基板が搬送されて所定の成膜位置に配置された場合にだけ、微粒子化された原料溶液を基板上に吹き付ける。

請求項（抜粋）：

原料溶液を微粒子化し基板上に吹き付けて薄膜を形成する薄膜形成方法であって、原料溶液に振動を加えて微粒子化する微粒子化工程と、該微粒子化された原料溶液を輸送する輸送工程と、該微粒子化された原料溶液を、加熱された基板上にノズルを通して吹きつけて薄膜を形成する成膜工程とを備え、該成膜工程が、該ノズルの先端と該基板表面との距離を検知し、該距離を一定に維持する工程を含むことを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (5件)：

C23C 26/00 ,  B05B 15/00 ,  C03C 17/25 ,  H01J 9/02 ,  H01J 11/02

FI (5件)：

C23C 26/00 Z ,  B05B 15/00 ,  C03C 17/25 B ,  H01J 9/02 F ,  H01J 11/02 B

Fターム (27件)：

4D073AA07 ,  4D073BB03 ,  4D073CA04 ,  4D073CA06 ,  4D073CA15 ,  4D073CA30 ,  4D073DA05 ,  4G059AA08 ,  4G059AC12 ,  4G059EA02 ,  4G059EB06 ,  4K044AA12 ,  4K044BA12 ,  4K044CA24 ,  4K044CA25 ,  4K044CA55 ,  4K044CA71 ,  5C027AA06 ,  5C040GD09 ,  5C040GE09 ,  5C040JA05 ,  5C040JA21 ,  5C040JA31 ,  5C040JA34 ,  5C040MA23 ,  5C040MA25 ,  5C040MA26