特許

J-GLOBAL ID：200903073779308742

薄膜半導体装置とその製造方法

発明者： 湯田坂 一夫
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-189037
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015762
出願日： 1999年07月02日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】高集積化可能な薄膜半導体装置の構造を提供する。【解決手段】不純物を含有したシリコン膜で形成されたゲート電極を有する第1の薄膜トランジスタと、この第1の薄膜トランジスタのゲート電極とソースあるいはドレイン領域とが直接接続される第2の薄膜トランジスタとを備えた構造とする。

請求項（抜粋）：

不純物を含有したシリコン膜で形成されたゲート電極を有する第2の薄膜トランジスタと、この第2の薄膜トランジスタのゲート電極とソースあるいはドレイン領域とが直接接続される第1の薄膜トランジスタとを備えたことを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 27/08 331

FI (3件)：

H01L 29/78 613 Z ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 29/78 617 M

Fターム (25件)：

5F048AC01 ,  5F048BA16 ,  5F048DB02 ,  5F048DB03 ,  5F110AA17 ,  5F110AA22 ,  5F110CC02 ,  5F110EE09 ,  5F110EE36 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG41 ,  5F110GG47 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ16 ,  5F110HM17 ,  5F110NN22 ,  5F110NN32 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ11