特許

J-GLOBAL ID：200903073783634697

半導体ウエハ及びその製造方法

発明者： 宮脇 守
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 豊田 善雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-040584
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218369
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】 多孔子質化したSi基体11上に、Siをエピタキシャル成長させてSi単結晶薄膜層12を形成した上にGaAs層13,14を堆積させ、SiO2 層16を表面に形成したもう1枚のSi基体15と貼り合わせ、上記多孔質Si基体11、Si単結晶薄膜層12をエッチング除去して絶縁層16上にGaAs単結晶薄膜層13,14を形成することを特徴とする半導体ウエハの製造方法。【効果】 良好なGaAs等III-V族系単結晶半導体層が得られ、優れた光デバイスを作製できる。

請求項（抜粋）：

絶縁層上にIII-V族系単結晶薄膜が設けられて、かつ該絶縁層の熱膨張係数が上記単結晶領薄膜の熱膨張係数の60%〜140%の範囲にあることを特徴とする半導体ウエハ。

IPC (2件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平1-133341
  
• 特開昭62-141720
  
• 特開昭61-182215
  
• 特開昭63-122265
  

審査官引用 (3件)

• 特開平1-133341
  
• 特開昭62-141720
  
• 特開昭61-182215