特許
J-GLOBAL ID:200903073783634697
半導体ウエハ及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
豊田 善雄 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-040584
公開番号(公開出願番号):特開平5-218369
出願日: 1992年01月31日
公開日(公表日): 1993年08月27日
要約:
【要約】 (修正有)【構成】 多孔子質化したSi基体11上に、Siをエピタキシャル成長させてSi単結晶薄膜層12を形成した上にGaAs層13,14を堆積させ、SiO2 層16を表面に形成したもう1枚のSi基体15と貼り合わせ、上記多孔質Si基体11、Si単結晶薄膜層12をエッチング除去して絶縁層16上にGaAs単結晶薄膜層13,14を形成することを特徴とする半導体ウエハの製造方法。【効果】 良好なGaAs等III-V族系単結晶半導体層が得られ、優れた光デバイスを作製できる。
請求項(抜粋):
絶縁層上にIII-V族系単結晶薄膜が設けられて、かつ該絶縁層の熱膨張係数が上記単結晶領薄膜の熱膨張係数の60%〜140%の範囲にあることを特徴とする半導体ウエハ。
IPC (2件):
引用特許:
出願人引用 (4件)
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特開平1-133341
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特開昭62-141720
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特開昭61-182215
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特開昭63-122265
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審査官引用 (3件)
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特開平1-133341
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特開昭62-141720
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特開昭61-182215
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