特許
J-GLOBAL ID：200903073784660128

半導体レーザ構造

発明者：
デイビッド ピー.ボア

デイビッド ピー.ボア について

, 
ミヒャエル アー.クナイスル

ミヒャエル アー.クナイスル について


出願人/特許権者：
ゼロックス・コーポレーション

ゼロックス・コーポレーション について


代理人 (1件)： 中島 淳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-369168
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218454
出願日： 2002年12月20日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 窒化物系レーザダイオード構造の閾値電圧を低減するための勾配つき半導体層の提供。【解決手段】 窒化物系半導体レーザ構造100のGaN層120とAlGaN層118との間の勾配つき半導体層は、GaN層120とAlGaN層118との界面における電位障壁を低減することで、レーザ構造の閾値電圧を低減する。勾配つき半導体層は、ステップ状の勾配がついた複数の層を構成するようにアルミニウム含有率が高くなる、複数のAlGaN層であってもよい。連続勾配半導体層は、単一の層のアルミニウム含有率を線形増加させたものである。デジタル的勾配半導体層は、交互するGaN量子井戸及びAlGaN障壁層の超格子を有し、AlGaN障壁の厚さが増加するにつれて、GaN量子井戸の厚さが減少する。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に形成された複数のIII-V窒化物半導体層であって、該複数のIII-V窒化物半導体層の少なくとも1つが活性領域を形成し、前記複数のIII-V窒化物半導体層に、電子及び正孔を前記活性領域に注入して前記半導体レーザ構造からのレージングを生じさせるのに十分な電圧が印加される、前記複数のIII-V窒化物半導体層と、0≦x<y≦1であり、前記複数のIII-V窒化物半導体層の少なくとも1つがAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N層であり前記複数のIII-V窒化物半導体層の少なくとも1つがAl<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>N層であるときに、前記Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N層と前記Al<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>N層との間に配置されると共に、前記Al<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>N層よりも少なく且つ前記Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N層よりも多いアルミニウムを含有する、少なくとも1つの勾配つき半導体層であって、前記Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N層と前記Al<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>N層との間の電位障壁を低減することにより、前記半導体レーザ構造からのレージングを生じさせるのに必要な閾値電圧を低減する、前記少なくとも1つの勾配つき半導体層と、を有する、半導体レーザ構造。
IPC (2件)：
H01S 5/042 614 ,  H01S 5/343 610
FI (2件)：
H01S 5/042 614 ,  H01S 5/343 610
Fターム (18件)：
5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073AA71 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB10 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073DA25 ,  5F073DA30 ,  5F073EA23 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (4件)
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