特許

J-GLOBAL ID：200903073784819755

半導体スイッチ

発明者： 宇田 尚典 ,  澤井 徹郎 ,  平井 利和 ,  原田 八十雄
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-093033
公開番号（公開出願番号）：特開平6-311007
出願日： 1993年04月20日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】【目的】 高周波信号の伝達経路を少なくして、高周波信号の挿入損失特性を向上させる。【構成】 高周波信号を入断するFET 10B のゲートと接地電位との間にFET 10C を介装させて、FET 10C のオン抵抗を制御して、FET 10B を通る高周波信号の減衰量を制御する構成にする。

請求項（抜粋）：

信号入力端子と、信号出力端子との間に、信号を入断する第1のFET を介装させている半導体スイッチにおいて、前記第1のFET のゲートと接地電位との間に介装された第2のFET を備え、該第2のFET のオン抵抗を制御して第1のFET を通過する信号を減衰させる構成にしていることを特徴とする半導体スイッチ。