特許

J-GLOBAL ID：200903073785954150

GaAsウェハの熱処理方法及び熱処理治具

発明者： 関 実
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-102941
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294561
出願日： 1999年04月09日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】 ウェハ面内の活性化の不均一を抑えると共に、熱処理枚数を増やすことができるGaAsウェハの熱処理方法及び熱処理治具を提供する。【解決手段】 GaAsウェハの熱処理治具10の各ウェハ装着用のウェハ装着用溝40に裏面を合わせた2枚のGaAsウェハ5をそれぞれ装着し、ウェハ装着用溝40同士の間隔W2 を従来の熱処理治具1のウェハ装着用溝4同士の間隔W1 に等しくすることにより、GaAsウェハ面内の活性化を均一にすることができると共に、熱処理枚数を増やすことができる。

請求項（抜粋）：

イオン注入後のGaAsウェハを電気的に活性化させるための熱処理を行うGaAsウェハの熱処理方法において、熱処理治具のウェハ装着用溝の一つに対して2枚のGaAsウェハを装着して熱処理を行うことを特徴とするGaAsウェハの熱処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/324 ,  H01L 21/68

FI (2件)：

H01L 21/324 Q ,  H01L 21/68 N

Fターム (10件)：

5F031CA02 ,  5F031DA01 ,  5F031FA01 ,  5F031FA09 ,  5F031FA18 ,  5F031HA37 ,  5F031HA39 ,  5F031HA63 ,  5F031HA65 ,  5F031PA30