特許
J-GLOBAL ID:200903073787604695

ダイヤモンドライクカーボン多層膜

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 本田 ▲龍▼雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-126827
公開番号(公開出願番号):特開2002-322555
出願日: 2001年04月25日
公開日(公表日): 2002年11月08日
要約:
【要約】【課題】 耐摩耗性に優れ、しかも摩擦係数が低く、優れた摺動特性を有するダイヤモンドライクカーボン多層膜を提供する。【解決手段】 膜密度の低いダイヤモンドライクカーボンで形成された低密度炭素層4と、膜密度の高いダイヤモンドライクカーボンで形成された高密度炭素層5とが交互に積層される。前記低密度炭素層4は平均の膜密度が2.2g/cm3以下であり、一方前記高密度炭素層5は平均の膜密度が2.3〜3.2g/cm3である。前記高密度炭素層5は膜中に含まれる水素成分が5at%以下である。前記低密度炭素層4の層厚T1は0.4〜30nmであり、前記高密度炭素層5の層厚T2は0.4〜10nmであり、T1/T2が5〜0.2とされる。
請求項(抜粋):
膜密度の低いダイヤモンドライクカーボンで形成された低密度炭素層と、膜密度の高いダイヤモンドライクカーボンで形成された高密度炭素層とが交互に積層されたダイヤモンドライクカーボン多層膜であって、前記低密度炭素層は平均の膜密度が2.2g/cm3以下であり、一方前記高密度炭素層は平均の膜密度が2.3〜3.2g/cm3であり、前記高密度炭素層は膜中に含まれる水素成分が5at%以下であり、前記低密度炭素層の層厚が0.4〜30nmであり、前記高密度炭素層の層厚が0.4〜10nmであり、前記低密度炭素層の層厚T1と高密度炭素層の層厚T2の比T1/T2が5〜0.2である、ダイヤモンドライクカーボン多層膜。
IPC (2件):
C23C 14/06 ,  C01B 31/02 101
FI (2件):
C23C 14/06 F ,  C01B 31/02 101 Z
Fターム (12件):
4G046CB03 ,  4G046CB08 ,  4G046CC06 ,  4K029AA02 ,  4K029AA06 ,  4K029BA17 ,  4K029BA34 ,  4K029BB02 ,  4K029BD03 ,  4K029BD04 ,  4K029CA05 ,  4K029EA01
引用特許:
出願人引用 (13件)
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引用文献:
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