特許
J-GLOBAL ID：200903073790504928
パターン作成方法,レチクル及び半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-307973
公開番号（公開出願番号）：特開平8-160590
出願日： 1994年12月12日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：
【要約】【目的】ダミーパターンの形成工程を含むパターン作成方法に関し、ダミーパターンを転写する際のパターン飛びや狭小なパターン形成を抑制して、導電性パーティクルによるショートを防止し、配線層等を被覆する層間絶縁膜の平坦化を図る。【構成】主パターン21から少なくとも間隔Wで分離したダミーパターン22を形成し、除去パターン23によりダミーパターン22を部分的に除去し、分割して、互いに分離されたダミーパターン群22d〜22hを形成し、ダミーパターン群22d〜22hのうち、最小許容幅a以下であり、又は最小許容面積S以下である狭小なダミーパターン22f,22hと、狭小なダミーパターン22f,22hに隣接するダミーパターン22dとを接続ダミーパターン22iにより接続し、又は狭小なダミーパターン22e,22gを除去する。
請求項（抜粋）：
主パターンから間隔をおいて分離したダミーパターンを形成し、網目状パターンと前記ダミーパターンとを重ね、網目状パターンと前記ダミーパターンとが重なっている部分の前記ダミーパターンを除去して、分割されたダミーパターン群を形成し、前記ダミーパターン群のうち、最小許容幅以下であり、又は最小許容面積以下である狭小な前記ダミーパターンと、前記狭小なダミーパターンに隣接する前記ダミーパターンとを接続ダミーパターンにより接続し、又は前記狭小なダミーパターンを除去することを特徴とするパターン作成方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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