液晶表示素子およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-165114
公開番号（公開出願番号）：特開平9-325366
出願日： 1996年06月06日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：

【要約】【課題】表示品質が低下しないようにする。【解決手段】ゲート絶縁膜33上に成膜された半導体薄膜およびその上に成膜されたn+型シリコン層のデバイス領域以外がそれぞれ除去されて、チャネル領域34aが形成されるとともに、その上面両側にドレイン領域38aおよびソース領域38bが形成され、ゲート絶縁膜33上の所定の箇所に画素電極40が形成され、ゲート絶縁膜33上の他の所定の箇所にドレインライン43が形成されている。この場合、画素電極40とドレインライン43との間におけるゲート絶縁膜33に長孔41を形成するので、残存する半導体薄膜やn+型シリコン層の不要な部分を長孔41を形成する際にゲート絶縁膜33と共に除去することができる。したがって、残存する半導体薄膜やn+型シリコン層の不要な部分によってドレインライン43と画素電極40との間が短絡することがなく、表示品質が低下しないようにすることができる。

請求項（抜粋）：

絶縁膜上に画素電極と信号ラインとが形成された液晶表示素子において、少なくとも前記画素電極と前記信号ラインとの間における前記絶縁膜に開口部が形成されていることを特徴とする液晶表示素子。

IPC (2件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1343

FI (2件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1343

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