金属カルコゲニドナノ-粒子を用いて分光増感されたナノ-多孔質金属酸化物半導体

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小田島平吉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-528514
公開番号（公開出願番号）：特表2006-501640
出願日： 2003年07月29日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：

少なくとも1種の金属カルコゲニドを含有する2.9eV未満のバンド-ギャップを有する金属カルコゲニドナノ-粒子を用いて内部及び外部表面上においてその場で分光増感された2.9eVより大きいバンド-ギャップを有するナノ-多孔質金属酸化物半導体であって、ナノ-多孔質金属酸化物がさらにリン酸又はリン酸塩を含有することを特徴とするナノ-多孔質金属酸化物半導体;ならびに2.9eVより大きいバンド-ギャップを有するナノ-多孔質金属酸化物半導体をその内部及び外部表面上において、少なくとも1種の金属カルコゲニドを含有する2.9eV未満のバンド-ギャップを有する金属カルコゲニドナノ粒子を用いてその場で分光増感するための方法であって、ナノ-多孔質金属酸化物を金属イオンの溶液と接触させ;ナノ-多孔質金属酸化物をカルコゲニドイオンの溶液と接触させる段階を含んでなる金属カルコゲニド-生成サイクル;ならびに金属カルコゲニド生成に続いてリン酸又はリン酸塩を含有する水溶液でナノ-多孔質金属酸化物を濯ぐことを含んでなる方法。

請求項（抜粋）：

少なくとも1種の金属カルコゲニドを含有する2.9eV未満のバンド-ギャップを有する金属カルコゲニドナノ-粒子を用いて内部及び外部表面上においてその場で分光増感された2.9eVより大きいバンド-ギャップを有するナノ-多孔質金属酸化物半導体であって、該ナノ-多孔質金属酸化物がさらにリン酸又はリン酸塩を含有することを特徴とするナノ-多孔質金属酸化物半導体。

IPC (5件)：

H01L 31/04 , C01G 21/21 , C01G 23/04 , C01G 29/00 , H01M 14/00

FI (5件)：

H01L31/04 Z , C01G21/21 , C01G23/04 Z , C01G29/00 , H01M14/00 P

Fターム (25件)：

4G047CA02 , 4G047CB09 , 4G047CC03 , 4G047CD03 , 4G048AA07 , 4G048AB02 , 4G048AC08 , 4G048AD02 , 4G048AE05 , 5F051AA14 , 5F051FA04 , 5F051FA18 , 5F051FA21 , 5F051GA03 , 5H032AA06 , 5H032AS09 , 5H032AS16 , 5H032BB05 , 5H032BB06 , 5H032BB10 , 5H032EE02 , 5H032EE03 , 5H032EE04 , 5H032EE16 , 5H032HH07

引用特許：

出願人引用 (4件)

米国特許第4,927,721号明細書
米国特許第5,350,644号明細書
特公平05-504023号公報

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