特許
J-GLOBAL ID：200903073796422176
面発光レーザ素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-375060
公開番号（公開出願番号）：特開2004-207500
出願日： 2002年12月25日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：
【課題】MOCVD装置とMBE装置をともに用いるハイブリッド法において、再成長界面の不純物を十分に取り除くことができる面発光半導体レーザ素子の製造方法を提供すること。【解決手段】MOCVD装置内で、GaAs基板上に、下部DBRミラーを形成した後、その基板をMBE装置内に搬送する。そして、MBE装置内で、その基板を加熱するとともに、MBE装置内にAsH3とともにCBr4を流し込む。これにより、自然酸化膜とそれに混入した不純物を除去することができる。続いて、MBE装置内で、電流狭窄層、下部クラッド層、活性層、上部クラッド層を形成し、MOCVD装置内で、上部DBRミラー、コンタクト層を形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
下部半導体多層膜反射鏡と上部半導体多層膜反射鏡との間に活性層が位置する構造の面発光レーザ素子の製造方法において、
有機金属気相成長装置内で、半導体基板上に、少なくとも前記下部半導体多層膜反射鏡が含まれた第1の半導体層を形成する第1の半導体層形成ステップと、
前記半導体基板を分子線エピタキシー装置内に搬送する基板搬送ステップと、
前記分子線エピタキシー装置内で、前記半導体基板を加熱するとともに、該分子線エピタキシー装置内に四臭化炭素(CBr4)を流し込む洗浄ステップと、
前記分子線エピタキシー装置内で、前記第1の半導体層上に、少なくとも前記活性層が含まれた第2の半導体層を形成する第2の半導体層形成ステップと、
を含んだことを特徴とする面発光レーザ素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (18件)：
5F045AA05
, 5F045AC00
, 5F045AF04
, 5F045BB14
, 5F045CA12
, 5F045HA02
, 5F045HA06
, 5F073AA11
, 5F073AA53
, 5F073AA74
, 5F073AB17
, 5F073CA17
, 5F073CB02
, 5F073DA05
, 5F073DA06
, 5F073DA16
, 5F073DA24
, 5F073EA24
