特許
J-GLOBAL ID：200903073797817158
半導体洗浄乾燥方法および半導体洗浄乾燥装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-234337
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153475
出願日： 1996年09月04日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：
【要約】【目的】 取扱いが安全で、短時間で良好な洗浄および乾燥を達成することのできる半導体洗浄乾燥方法および装置を提供する。【解決手段】 本発明の第1の特徴は、半導体基板を設置した処理槽内に、所望の温度に加熱された洗浄水を供給し、水面が前記半導体基板を十分に覆う高さとなる洗浄水層を形成する工程と、前記処理槽の前記水面より上が不活性雰囲気となるように前記処理槽の上部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給工程と、前記洗浄水層の上部に水溶性の有機溶剤を瞬間的に供給し、前記洗浄水層上に有機溶剤層を形成する有機溶剤供給工程と、前記洗浄水層と、前記有機溶剤層と、加熱された前記洗浄水層上に有機溶剤層を供給することによって起こる前記有機溶剤の蒸発によって形成された有機溶剤の過飽和蒸気を含む不活性ガス層との3層共存状態で、前記洗浄水層の水面を下降させるかまたは前記半導体基板を洗浄水層から不活性ガス層にむけて通過させる通過工程と、前記不活性ガス層内で乾燥する乾燥工程とを含むことにある。
請求項（抜粋）：
半導体基板を設置した処理槽内に、所望の温度に加熱された洗浄水を供給し、水面が前記半導体基板を十分に覆う高さとなる洗浄水層を形成する工程と、前記処理槽の前記水面より上が不活性雰囲気となるように前記処理槽の上部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給工程と、前記洗浄水層の上部に水溶性の有機溶剤を供給し、前記洗浄水層上に有機溶剤層を形成する有機溶剤供給工程と、前記洗浄水層と、前記有機溶剤層と、加熱された前記洗浄水層上に有機溶剤層を供給することによって起こる前記有機溶剤の蒸発によって形成された有機溶剤の過飽和蒸気を含む不活性ガス層との3層共存状態で、前記洗浄水層の水面を下降させるかまたは前記半導体基板を洗浄水層から不活性ガス層にむけて通過させる通過工程と、前記不活性ガス層内で乾燥する乾燥工程とを含むことを特徴とする半導体洗浄乾燥方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 351
, H01L 21/304
, B08B 3/08
H01L 21/304 351 C
, H01L 21/304 351 V
, B08B 3/08 Z
