特許
J-GLOBAL ID:200903073798672293
セラミックス、ならびに誘電体キャパシタ、アクチュエータ、光変調器、及び超音波センサ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
布施 行夫
, 大渕 美千栄
, 永田 美佐
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-322706
公開番号(公開出願番号):特開2009-107925
出願日: 2008年12月18日
公開日(公表日): 2009年05月21日
要約:
【課題】本発明の目的は、セラミックスの結晶化温度を低減させることができ、セラミックスの表面モフォロジを改善することができる、セラミックスの製造方法を提供することにある。【解決手段】セラミックスの製造方法は、酸素八面体構造を有する複合酸化物材料と、該複合酸化物材料に対して触媒作用を有する常誘電体材料とが混在した膜を形成し、その後該膜を熱処理することを含み、前記常誘電体材料は、構成元素中にSiを含む層状触媒物質、または構成元素中にSi及びGeを含む層状触媒物質からなる。前記熱処理は焼成及びポストアニールを含み、少なくとも該ポストアニールは、加圧された、酸素及びオゾンの少なくとも一方を含む雰囲気中で行われることが望ましい。セラミックスは、酸素八面体構造を有する複合酸化物であって、該酸素八面体構造中にSi及びGeを含む。【選択図】図3
請求項(抜粋):
酸素八面体構造を有する複合酸化物であって、該酸素八面体構造中にSi及びGeを含む、セラミックス。
IPC (3件):
C04B 35/00
, C01B 33/20
, H01G 4/33
FI (3件):
C04B35/00 J
, C01B33/20
, H01G4/06 102
Fターム (56件):
4G030AA01
, 4G030AA02
, 4G030AA03
, 4G030AA04
, 4G030AA07
, 4G030AA08
, 4G030AA09
, 4G030AA10
, 4G030AA11
, 4G030AA12
, 4G030AA13
, 4G030AA14
, 4G030AA16
, 4G030AA17
, 4G030AA18
, 4G030AA19
, 4G030AA20
, 4G030AA21
, 4G030AA22
, 4G030AA23
, 4G030AA24
, 4G030AA27
, 4G030AA30
, 4G030AA31
, 4G030AA32
, 4G030AA34
, 4G030AA35
, 4G030AA36
, 4G030AA37
, 4G030AA38
, 4G030AA39
, 4G030AA40
, 4G030AA43
, 4G030BA01
, 4G030CA08
, 4G030GA09
, 4G030GA10
, 4G030GA25
, 4G030GA27
, 4G030GA34
, 4G073BA17
, 4G073BA20
, 4G073BA64
, 4G073BA65
, 4G073BA73
, 4G073BD18
, 4G073CD01
, 4G073UB11
, 5E082BC40
, 5E082EE05
, 5E082FF05
, 5E082FG03
, 5E082FG26
, 5E082MM24
, 5E082PP03
, 5E082PP07
引用特許:
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