特許
J-GLOBAL ID：200903073800770001
半導体素子用ウエハ及び半導体素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内田 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-106248
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299362
出願日： 1992年04月24日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：
【要約】【目的】 動作層を破損することなく、成長基板から動作層のみを容易に除去することのできる半導体素子用ウエハ及び該ウエハを使用して半導体素子を高い歩留りで製造することのできる方法を提供しようとするものである。【構成】 成長基板と動作層の間に劈開性の優れた層状化合物からなる緩衝層を備えたことを特徴とする半導体素子用ウエハ、及び、成長基板上に劈開性の優れた層状化合物からなる緩衝層を形成し、該緩衝層上に動作層をエピタキシャル成長した後、上記動作層と成長基板を剥離し、半導体素子用支持基板に接合することを特徴とする半導体素子の製造方法である。
請求項（抜粋）：
成長基板上にエピタキシャル動作層を有する半導体素子用ウエハにおいて、成長基板と動作層の間に劈開性の優れた層状化合物からなる緩衝層を備えたことを特徴とする半導体素子用ウエハ。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C30B 23/08
, H01L 27/12
