特許
J-GLOBAL ID：200903073801390032
単層カーボンナノチューブの製造法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-337937
公開番号（公開出願番号）：特開平7-197325
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月01日
要約：
【要約】【目的】 単層カーボンナノチューブを効率よく製造する。【構成】 アーク放電を用いてナノチューブを生成するとき、負電極7は炭素棒電極で、正電極10として炭素棒に穴をあけ、そこに金属線を挿入したものを使う。炭素棒に金属線を挿入することで、表面に露出した炭素と金属の面積比を制御できるので、放電で蒸発する炭素と金属の量を制御できるようになり、大量に製造できる。さらに、キャリアガスとして希ガス、炭化水素ガスに加え、水素を添加することにより単層カーボンナノチューブ製造の収率を上げる。
請求項（抜粋）：
放電電極の一方に炭素、他方に金属と炭素の混合物を用い、原料ガスに炭化水素を用いたアーク放電による単層カーボンナノチューブの製造法であって、金属と炭素の混合物の電極として、炭素棒に穴をあけ金属線を挿入することにより形成されたものを用いる単層カーボンナノチューブの製造法。
引用特許：
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