特許

J-GLOBAL ID：200903073803320430

配向性強誘電体薄膜素子

発明者： 梨本 恵一
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 渡部 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-358050
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196648
出願日： 1992年12月25日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板上に、金属薄膜を設けた配向性強電体薄膜素子を提供することを目的とし、本発明により高機能の不揮発性メモリーやキャパシター、または光変調素子などの素子を半導体基板上に作製することができる。【構成】 配向性強誘電体薄膜素子は、半導体単結晶基板上にエピタキシャルまたは配向性のバッファ薄膜が形成され、その上にエピタルシャルまたは配向性の金属薄膜が形成され、さらにその上にエピタキシャルまたは配向性の強誘電体薄膜が形成された構造を有する。半導体単結晶基板にはSiまたはGaAsが使用でき、バッフア薄膜にはMgOまたはMgAl2 O4 が使用でき、金属薄膜にはPd、Pt、Al、AuまたはAgが使用でき、強誘電体薄膜にはABO3 型ペロブスカイトが使用できる。

請求項（抜粋）：

半導体単結晶基板上にエピタキシャルまたは配向性のバッファ薄膜が形成され、その上にエピタルシャルまたは配向性の金属薄膜が形成され、さらにその上にエピタキシャルまたは配向性の強誘電体薄膜が形成されてなることを特徴とする配向性強誘電体薄膜素子。

IPC (5件)：

H01L 27/10 451 ,  H01B 3/00 ,  H01L 21/86 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/108

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-055198
  
• 特開平4-199746
  
• 特開平1-280375