特許

J-GLOBAL ID：200903073808166057

触媒劣化予測方法

発明者： 馬場 直樹 ,  横田 幸治 ,  松永 真一 ,  小島 晋爾 ,  大澤 克幸
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 高橋 祥泰 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-185894
公開番号（公開出願番号）：特開2001-012233
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2001年01月16日
要約：

【要約】【課題】 個々の使用環境にふさわしい最適な触媒を選択するために利用可能な触媒の劣化予測方法を提供すること。【解決手段】 触媒貴金属粒径分布(n)と反応速度分布(n)を基に触媒温度分布(n+1)と酸素濃度分布(n+1)を算出し,これらと被毒量分布(n+1)とを基に,触媒貴金属粒径分布(n+1)を算出し,これと被毒量分布(n+1)とを基に,頻度因子分布(n+1)を算出し,これを基に,反応速度分布(n+1)を算出し,触媒の劣化状態を予測する。

請求項（抜粋）：

触媒の劣化段階nより時間tn経過後の劣化段階n+1における反応速度分布(n+1)を求めるに当り,劣化段階nにおける触媒貴金属粒径分布(n)と反応速度分布(n)を基に,触媒温度と酸素濃度とを予測する方法を用いて,劣化段階n+1における触媒温度分布(n+1)と酸素濃度分布(n+1)を予測し,該触媒温度分布(n+1),酸素濃度分布(n+1)と劣化段階n+1における被毒量分布(n+1)とを基に,触媒貴金属粒径を予測する方法を用いて,劣化段階n+1における触媒貴金属粒径分布(n+1)を予測し,該触媒貴金属粒径分布(n+1)と被毒量分布(n+1)とを基に,反応速度の頻度因子を予測する方法を用いて,反応速度の頻度因子分布(n+1)を予測し,触媒の劣化状態を予測することを特徴とする触媒劣化予測方法。

IPC (4件)：

F01N 3/20 ,  B01J 23/38 ZAB ,  F02D 45/00 314 ,  G01N 33/00

FI (4件)：

F01N 3/20 C ,  B01J 23/38 ZAB A ,  F02D 45/00 314 Z ,  G01N 33/00 D

Fターム (45件)：

3G084DA27 ,  3G084FA00 ,  3G091AA02 ,  3G091AA17 ,  3G091AB03 ,  3G091BA14 ,  3G091BA15 ,  3G091BA19 ,  3G091BA33 ,  3G091DB06 ,  3G091DB10 ,  3G091DB13 ,  3G091EA17 ,  3G091EA18 ,  3G091EA21 ,  3G091EA30 ,  3G091EA33 ,  3G091EA38 ,  3G091FB03 ,  3G091FC02 ,  3G091GA06 ,  3G091GB01X ,  3G091GB05W ,  3G091GB06W ,  3G091GB10X ,  3G091GB17X ,  3G091HA36 ,  3G091HA37 ,  3G091HA42 ,  4G069AA20 ,  4G069BA17 ,  4G069BB02A ,  4G069BB02B ,  4G069BC69A ,  4G069BC71B ,  4G069BC75B ,  4G069CA03 ,  4G069CA09 ,  4G069DA05 ,  4G069EA18 ,  4G069EB14Y ,  4G069EB19 ,  4G069EC27 ,  4G069ED05 ,  4G069ED07