特許

J-GLOBAL ID：200903073815555549

ITO透明導電膜の形成方法

発明者： 石原 嗣生 ,  吉岡 秀樹 ,  フレデリック アドゥロディジャ ,  泉 宏和 ,  元山 宗之
出願人/特許権者： 石原 嗣生 ,  吉岡 秀樹 ,  泉 宏和 ,  元山 宗之
代理人 (1件)： 角田 嘉宏 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-078577
公開番号（公開出願番号）：特開2001-335918
出願日： 2001年03月19日
公開日（公表日）： 2001年12月07日
要約：

【要約】【課題】 特に有機樹脂基板への適用を考慮し、約100°C以下の基板温度でも透明度が高く抵抗率が低いITO透明導電膜の形成方法の提供を目的とするものである。【解決手段】 スパッタリング法により基板14表面にITO透明導電膜を形成する方法であって、アシスト用紫外光線を照射する光線照射工程を含むことを特徴とするものである。

請求項（抜粋）：

スパッタリング法により基板表面にITO透明導電膜を形成する方法であって、アシスト用紫外光線を照射する光線照射工程を含むことを特徴とするITO透明導電膜の形成方法。

IPC (5件)：

C23C 14/08 ,  C23C 14/22 ,  C23C 14/34 ,  G02F 1/1343 ,  H01B 13/00 503

FI (5件)：

C23C 14/08 D ,  C23C 14/22 F ,  C23C 14/34 S ,  G02F 1/1343 ,  H01B 13/00 503 B