特許
J-GLOBAL ID：200903073817678443
薄膜形成用高純度タンタル及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小越 勇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-012588
公開番号（公開出願番号）：特開2000-212678
出願日： 1999年01月21日
公開日（公表日）： 2000年08月02日
要約：
【要約】【課題】 積層薄膜を構成する物質の相互拡散に起因する汚染物質の抑制、及びスパッタリングによる成膜に際しては、異常放電現象やパーテイクルを極力制限することができるターゲット等に使用できる高純度タンタル及びそれを低コストで容易に製造できる方法を提供する。【解決手段】 Nb、W、Moの各元素が10重量ppm以下、遷移金属元素、高融点金属元素又は前記以外の重金属元素の各含有量が1重量ppm以下、U、Th等の放射性元素の各含有量が1重量ppb以下、Na、K等のアルカリ金属元素の各含有量が1重量ppm以下である薄膜形成用高純度タンタルであり、これはタンタル化合物又はタンタルスクラップを溶融塩電解し電解析出高純度タンタルとした後、電子ビーム等により溶解して揮発成分を除去することにより製造する。
請求項（抜粋）：
Nb、W、Moの各元素が10重量ppm以下、遷移金属元素、高融点金属元素及び前記以外の重金属元素の各含有量が1重量ppm以下、U、Th等の放射性元素の各含有量が1重量ppb以下、Na、K等のアルカリ金属元素の各含有量が1重量ppm以下であることを特徴とする薄膜形成用高純度タンタル。
IPC (2件)：
C22C 27/02 103
, C25C 3/26
C22C 27/02 103
, C25C 3/26
4K058AA11
, 4K058AA23
, 4K058BA11
, 4K058BB06
, 4K058CB03
, 4K058CB06
, 4K058CB17
, 4K058EB13
, 4K058ED03
, 4K058FC04
