特許

J-GLOBAL ID：200903073822455665

SOI基板の製造方法

発明者： 吉田 隆司 ,  工藤 貴裕 ,  池田 恭一
出願人/特許権者： 横河電機株式会社
代理人 (1件)： 小沢 信助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-264873
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109888
出願日： 1991年10月14日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 安価で汚染が無く、均一なSOI基板の製造方法を提供するにある。【構成】 SOI基板の製造方法において、n形の基板201上にエピタキシャル成長層よりなるp形シリコン層を形成する工程。該p形シリコン層に島状に少なくとも1個設けられたn形シリコン層203を形成する工程。前記基板を沸化水素酸204に浸け、光205を照射し、前記p形シリコン層を多孔質化する工程。該多孔質化したp形シリコン層206を酸化する工程。を具備したもの。

請求項（抜粋）：

SOI基板の製造方法において、以下の工程を有する事を特徴とするSOI基板の製造方法。(a)n形の基板上にエピタキシャル成長層よりなるp形シリコン層を形成する工程。(b)該p形シリコン層に島状に少なくとも1個設けられたn形シリコン層を形成する工程。(c)前記基板を沸化水素酸に浸け、光を照射し、前記p形シリコン層を多孔質化する工程。(d)該多孔質化したp形シリコン層を酸化する工程。

IPC (5件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭58-212141
  
• 特開昭56-043739