特許
J-GLOBAL ID:200903073824254144
金属膜用研磨剤
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-205377
公開番号(公開出願番号):特開2001-031953
出願日: 1999年07月19日
公開日(公表日): 2001年02月06日
要約:
【要約】【課題】 半導体基板表面に金属配線用の凹部を有する絶縁膜を形成し、その上にバリア膜を介して該凹部を埋めるように金属膜を形成した後、金属膜及びバリア膜を研磨することにより除去して絶縁膜と凹部に存在する金属膜との平坦化された面を形成するに際し、極めて平坦性の高い半導体基板表面を得ることができる研磨剤を提供する。【解決手段】 研磨砥粒、防食剤、過硫酸塩系酸化剤及び水よりなり、金属と錯体を形成し得る有機酸を実質的に含まず、且つpHが3〜7の範囲に調整されたことを特徴とする金属膜用研磨剤である。
請求項(抜粋):
研磨砥粒、防食剤、過硫酸塩系酸化剤及び水よりなり、金属と錯体を形成し得る有機酸を実質的に含まず、且つpHが3〜7の範囲に調整されたことを特徴とする金属膜用研磨剤。
IPC (4件):
C09K 3/14 550
, C09K 3/14
, H01L 21/304 621
, H01L 21/3205
FI (5件):
C09K 3/14 550 Z
, C09K 3/14 550 D
, H01L 21/304 621 D
, H01L 21/88 K
, H01L 21/88 Z
Fターム (2件):
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