特許

J-GLOBAL ID：200903073826040516

チタン酸バリウム系磁器半導体

発明者： 西 哲也
出願人/特許権者： 積水化成品工業株式会社
代理人 (1件)： 原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-178163
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029103
出願日： 1991年07月18日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】【構成】 チタン酸バリウム系磁器半導体において、キュリー点移動物質を含むチタン酸バリウム系基体組成物に、半導体化剤として0.07〜0.17モル%の範囲の五酸化アンチモンを含み、かつ、0.01〜0.5モル%の範囲の窒化ホウ素を含む。【効果】 耐電圧が高く、かつ室温における抵抗率の小さいチタン酸バリウム系磁器半導体となり、電流容量の小さい回路中で、室温において低抵抗で、かつ耐電圧を要する用途に用いるPTC素子として使用することができる。

請求項（抜粋）：

キュリー点移動物質を含むチタン酸バリウム系磁器半導体において、チタン酸バリウム系基体組成物に対して0.07〜0.17モル%の五酸化アンチモンを半導体化剤として含み、かつ、0.01〜0.5モル%の窒化ホウ素を含むことを特徴とするチタン酸バリウム系磁器半導体。