特許

J-GLOBAL ID：200903073827355499

半導体用セラミックス放熱体およびその製造方法

発明者： 請川 治平 ,  夏原 益宏 ,  下田 浩平 ,  仲田 博彦
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 越場 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-212316
公開番号（公開出願番号）：特開平7-050369
出願日： 1993年08月04日
公開日（公表日）： 1995年02月21日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 切削や研磨などの工程を使わない安価な高性能の半導体用セラミック放熱体を提供する。【構成】 AlN焼結体のベース部1の表面に、AlNを主成分とするペースト2を塗布し、ペースト2上に、フィン部となるAlN焼結体板3を配置し、1600°Cの非酸化雰囲気で焼成して、半導体用セラミックス放熱体を製造する。

請求項（抜粋）：

AlNを主成分とする焼結体でそれぞれ構成された、板状のベース部と、ベース部の一面上に配置された複数のフィン部とを備える半導体用セラミックス放熱体において、ベース部とフィン部とが別々の部材であり、接合手段により接合されていることを特徴とする半導体用セラミックス放熱体。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-036754
  
• 特開平2-149470
  
• 特開平2-226749