半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-316610
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162168
出願日： 1995年12月05日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】幅が2μmレベルのトレンチの場合でも、アスペクト比が従来の1/2程度でも、トレンチ形成と同時に底部のコーナー部の曲率半径を増大させ、底部全体の丸底化を実現することのできる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】シリコン基板の主面上にシリコン酸化物を主成分とする誘電体層を形成する工程、上記誘電体層の所望の領域に1箇所当りの最大幅が2μm以下の開口部を設けてシリコン基板を露出させる工程、水素化臭素、塩素、酸素及びヘリウムの混合ガスを用いた、シリコンのマグネトロンリアクティブイオンエッチングによるアスペクト比3以上の深穴を形成する工程を有し、上記リアクティブイオンエッチングにおける反応圧力を100mTorrに制御し、13.56MHzの高周波電力を密度電力1.6W/cm2印加し、上記水素化臭素の流量を10〜20sccm、塩素の流量を20〜50sccm、酸素の流量を2〜6sccmの範囲とする半導体装置の製造方法とすること。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の主面上にシリコン酸化物を主成分とする誘電体層を形成する工程と、上記誘電体層の所望の領域に1箇所当りの最大幅が2μm以下の開口部を設けてシリコン基板を露出させる工程と、水素化臭素、塩素、酸素及びヘリウムの混合ガスを用いた、シリコンのマグネトロンリアクティブイオンエッチングによるアスペクト比3以上の深穴を形成する工程とを有し、上記リアクティブイオンエッチングにおける反応圧力を100mTorrに制御し、13.56MHzの高周波電力を密度電力1.6W/cm2印加し、上記水素化臭素の流量を10〜20sccm、塩素の流量を20〜50sccm、酸素の流量を2〜6sccmの範囲とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/28

FI (3件)：

H01L 21/302 J , H01L 21/28 L , H01L 21/302 F

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