特許

J-GLOBAL ID：200903073829448508

半導体装置

発明者： 井元 晋也
出願人/特許権者： ローム株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-098474
公開番号（公開出願番号）：特開平9-289305
出願日： 1996年04月19日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 半導体装置におけるPN接合の耐圧を上げるための、PN接合上に設けられるフィールドプレート電極の新しい構造を提供する。【解決手段】 半導体基板上において、フィールドプレート電極7端下の2層の絶縁層5、6間に部分的に絶縁体プレート8を設けることにより、フィールドプレート電極7端と半導体基板1との間の絶縁層の厚みを増してフィールドプレート電極端近傍の電界集中が生じ易い領域での電界集中を緩和させるようにした。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面に形成される拡散領域と、上記半導体基板上に形成される第1の絶縁層と、上記第1の絶縁層上に形成される第2の絶縁層と、上記第2の絶縁層上に、上記拡散領域に接続されて形成されるフィールドプレート電極と、上記フィールドプレート電極の端下の第1の絶縁層と第2の絶縁層との間に埋め込まれた絶縁体プレートと、を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/41 ,  H01L 21/76 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 29/44 E ,  H01L 21/76 S ,  H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/78 652 P