特許

J-GLOBAL ID：200903073833786922

半導体装置

発明者： 米中 一市
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-333891
公開番号（公開出願番号）：特開平8-172134
出願日： 1994年12月15日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：

【要約】【目的】 レーザービームでヒューズ素子を切断する際に隣接ヒューズ素子上の絶縁膜を破壊せず隣接ヒューズ素子上の絶縁膜を平坦に保ち、隣接ヒューズ素子にレーザービームが偏光しないようにした半導体装置を提供する。【構成】 半導体基板3上に形成されたヒューズ素子2の切断部の両側近傍に間隔をおいて少なくとも1つの仕切り壁100を配置する。ヒューズ素子2は、半導体基板3上に形成され、絶縁膜5に埋設されている。ヒューズ素子2は、仕切り壁100と共にこの絶縁膜5を被覆保護する保護絶縁膜6に形成されたヒューズ窓1に配置されている。ヒューズ素子間に設けられる仕切り壁は、ヒューズ素子の間隔が非常に接近している場合に、レーザービームでヒューズ素子を切断したときに隣接ヒューズ素子上の絶縁膜を破壊するのを防止する。そのため隣接ヒューズ素子上の絶縁膜が平坦性を保ち、この隣接ヒューズ素子をヒューズ切断する場合にレーザービームが偏光しないで当たるようになる。

請求項（抜粋）：

複数の半導体素子が形成された半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、前記複数の半導体素子間を電気的に接続する配線と、前記半導体基板上に形成され、前記配線に電気的に接続され、かつ、この配線が電気的に接続している半導体素子間に挿入されたヒューズ素子と、前記ヒューズ素子の少なくとも切断部の両側近傍に間隔をおいて配置された仕切り壁とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/82 ,  B23K 26/00 320 ,  H01L 21/461 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 21/82 F ,  H01L 27/10 691