特許
J-GLOBAL ID：200903073845963137
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-049241
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251539
出願日： 1992年03月06日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：
【要約】【目的】 コンタクトホールの形成状態をシリコン基板自身を破壊することなく観察し、その結果によりエッチング条件の最適化を行なう。【構成】 コンタクトホールの形成のエッチングの際に、まず標準条件でエッチングを行い、任意のコンタクトホール3を集束イオンビームを用いて7の部分の断面エッチングを行い、コンタクトホールの断面形状や底部3aの絶縁膜の残渣の有無を観察する。その観察結果によりコンタクトホールのエッチング条件の良否を判定する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に導電層と絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層をエッチングにより開口する工程と、前記導電層及び絶縁層の所定部分を集束イオンビームを用いてエッチングする工程と、前記所定部分の断面を斜上方より電子顕微鏡を用いて観察する工程とを有する半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, H01L 21/28
, H01L 21/302
